晶片在生产过程中，原本大气中O2会和Si产生化学反应得O2+Si=SiO2（二氧化矽）为原始的氧化层，如果管路的氧含量过高，原始的氧化层会超出原本已计算好的厚度，如此会严重影响接下来各阶段的制程。